Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 Организация* Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, 660036 Красноярск, Россия ** Сибирская аэрокосмическая академия им. М.Ф. Решетнева, 660014 Красноярск, Россия E-mail: smp@iph.krasnoyarsk.su ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Температурная эволюция гистерезисной особенности навольт-амперной характеристике поликристаллического высокотемпературного сверхпроводника структуры 1-2-3

Петров М.И., Балаев Д.А., Гохфельд Д.М., Шайхутдинов К.А., Александров К.С.

Петров М.И., Балаев Д.А., Гохфельд Д.М., Шайхутдинов К.А., Александров К.С. Температурная эволюция гистерезисной особенности навольт-амперной характеристике поликристаллического высокотемпературного сверхпроводника структуры 1-2-3 // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 7, Стр. 1179

Аннотация Изучена температурная эволюция вольт-амперной характеристики (ВАХ) контакта типа \glqq break junction\grqq с непосредственной проводимостью на поликристаллическом ВТСП системы Y--Ba--Cu--O. Экспериментальные ВАХ, обладающие гистерезисной особенностью, хорошо описываются в рамках теории Кюммеля--Никольского для S-N-S-контакта (S --- сверхпроводник, N --- нормальный металл), рассматривающей андреевское отражение квазичастиц на N-S-поверхностях раздела. Показано, что вид ВАХ, существование и форма гистерезиса определяются соотношением числа \glqq длинных\grqq и \glqq коротких\grqq межкристаллитных границ в исследуемом поликристалле. Хорошее совпадение рассчитанных и экспериментальных ВАХ позволило оценить эффективную протяженность \glqq естественных\grqq межкристаллитных границ в поликристаллическом ВТСП. Подобная оценка проведена на основании экспериментальной температурной зависимости критического тока исследуемого образца. Работа поддержана грантом Шестого конкурса-экспертизы молодежных проектов РАН, 1999 г. (грант N 55) и частично поддержана Красноярским краевым фондом науки (грант 10F162M).