Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияМосковский государственный университет им. М.В.&nbsp;Ломоносова, 119899 Москва, Россия * Костромской государственный университет им. Н.А.&nbsp;Некрасова, Кострома, Россия ** Костромской государственный технологический университет, 156005 Кострома, ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Влияние магнитного поля надислокационную неупругость ипластичность кристалловLiF сразличными примесями

Тяпунина Н.А., Красников В.Л., Белозерова Э.П., Виноградов В.Н.

Тяпунина Н.А., Красников В.Л., Белозерова Э.П., Виноградов В.Н. Влияние магнитного поля надислокационную неупругость ипластичность кристалловLiF сразличными примесями // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 1, Стр. 95

Аннотация С помощью метода двухкомпонентного резонансного осциллятора на частоте 80 kHz исследовано влияние магнитного поля с индукцией 0.04--0.8 T на амплитудную зависимость внутреннего трения кристаллов LiF с различным составом примесей. За состоянием образцов следили in situ по вольт-амперным характеристикам составного осциллятора. Установлено, что в присутствии магнитного поля изменяется состояние системы дислокации--закрепляющие центры и, как следствие этого, возрастают внутреннее трение и пластичность образцов. Эффект действия магнитного поля чувствителен к составу примесей в кристалле.