Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияИнститут кристаллографии им. А.В.&nbsp;Шубникова Российской академии наук, 117333 Москва, Россия * Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия ** Институт металлургии и материаловедения им. А.А. ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Влияние легирования и предварительной обработки намагнитостимулированную подвижность дислокаций вмонокристаллахInSb

Петржик Е.А., Даринская Е.В., Ерофеева С.А., Раух ман М.Р.

Петржик Е.А., Даринская Е.В., Ерофеева С.А., Раух ман М.Р. Влияние легирования и предварительной обработки намагнитостимулированную подвижность дислокаций вмонокристаллахInSb // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 2, Стр. 254

Аннотация Обнаружено влияние типа проводимости и степени легирования монокристаллов InSb на подвижность быстрых 60o дислокаций в магнитном поле. Оказалось, что при легировании чистого кристалла InSb теллуром (n-тип) до 1018 cm-3 подвижность дислокаций падает до уровня фона. В то же время в кристаллах InSb p-типа, легированных Ge, при такой же концентрации носителей (1018 cm-3) магнитопластический эффект ярко выражен. Показано, что предварительное механическое нагружение, а следовательно, и внутренние напряжения кристалла влияют не только на среднюю величину пробегов дислокаций в магнитном поле, но и на величину порогового магнитнго поля, ниже которого магнитопластический эффект не наблюдается. Обсуждаются возможные причины этих явлений. Работа частично финансировалась грандом Российской академии наук (Шестой конкурс научных проектов молодых ученых РАН).