Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияМосковский государственный инженерно-физический институт (технический университет), 115409 Москва, Россия E-mail: kosachev@pc1k32.mephi.ru ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"


Дисперсия изатухание волн Рэлея на статистически ше роховатой, свободной поверхности гексагонального кристалла
Косачев В.В., Гандурин Ю.Н.
Косачев В.В., Гандурин Ю.Н. Дисперсия изатухание волн Рэлея на статистически ше роховатой, свободной поверхности гексагонального кристалла // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 2, Стр. 369
Аннотация Для Z-среза гексагонального кристалла с помощью модифицированного метода среднего поля в рамках теории возмущений аналитически исследованы дисперсия и затухание поверхностных акустических волн Рэлея на свободной статистически шероховатой поверхности. В области частот, достижимых по теории возмущений, выполнены численные расчеты с использованием выражений для действительной и мнимой частей комплексного сдвига частоты волн Рэлея, вызванного слабой шероховатостью поверхности. Показано, что для Z-среза гексагонального кристалла характер дисперсии и затухания рэлеевских волн качественно совпадает со случаем изотропной среды, отличаясь в количественном отношении. В длинноволновом пределе lambda>> a, где a --- поперечная корреляционная длина шероховатости, в явном аналитическом виде получены выражения для относительного изменения фазовой скорости и обратной длины затухания волн Рэлея, с использованием которых также были выполнены численные расчеты.
Ключевые слова публикации:
     

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален