Профиль » Публикация
Опубликовано
2003-00-00
Организация* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ** Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, 190103 Санкт-Петербург, Россия E-mail: denisov@beam.ioffe.rssi.ru
ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"
Молекулярно-пучковая эпитаксия исвойства гетероструктур сInAs нанокластерами вSi матрице
Денисов Д.В., Серенков И.Т., Сахаров В.И., Цырлин Г.Э., Устинов В.М. Молекулярно-пучковая эпитаксия исвойства гетероструктур сInAs нанокластерами вSi матрице // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 11, Стр. 2090
Аннотация
Методами дифракции быстрых электронов на отражение, рассеяния ионов средних энергий и сканирующей электронной микроскопии исследованы процессы формирования гетероэпитаксиальных структур с InAs-нанокластерами в Si-матрице при молекулярно-пучковой эпитаксии, а также изменение параметров таких структур при термическом отжиге. Показано, что в определенном температурном диапазоне при осаждении InAs на Si(100)-поверхности происходит формирование четырехгранных нанопирамид с {111}-ориентацией боковых граней. Установлена возможность последующего эпитаксиального заращивания InAs-наноостровков кремнием с постепенным сглаживанием трехмерного рельефа. Определено, что при отжиге в вакууме структуры Si\backslashInAs\backslashSi(100) являются стабильными при температурах до 700oC. Настоящая работа выполнена при частичной финансовой поддержке научными программами Минпромнауки и технологии РФ и Российского фонда фундаментальных исследований.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален