Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.&nbsp;А.Ф.&nbsp;Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail: dzhioev@orient.ioffe.ru ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Эффект Ханле внеоднородно легированномGaAs

Джиоев Р.И., Захарченя Б.П., Кавокин К.В., Лазарев М.В.

Джиоев Р.И., Захарченя Б.П., Кавокин К.В., Лазарев М.В. Эффект Ханле внеоднородно легированномGaAs // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 12, Стр. 2153

Аннотация В стационарных условиях оптической ориентации исследовано распределение спиновой плотности в гетероструктуре GaAs/AlGaAs. Дан подробный анализ динамики и релаксационных процессов, ответственных за установившуюся пространственную неоднородность спиновой ориентации. Определены концентрации акцепторной примеси в разных областях неоднородно легированного арсенида галлия. Концентрации определялись по временам спиновой релаксации, измеренным методом оптической ориентации. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований.