Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияВоронежский государственный университет, 394693 Воронеж, Россия * Institut fur Oberflachen- und Mikrostrukturphysik, Technische Universitat, Dresden, Germany ** Institut fur Experimentalphysik, Freie Universitat Berlin, Berlin, Germany *** Нижегородский г ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Синхротронные исследования особенностей электронно-энергетического спектра кремниевых наноструктур

Домашевская Э.П., Терехов В.А., Кашкаров В.М., Мануковский Э.Ю., Турищев С.Ю., Молодцов С.Л., Вялых Д.В., Хохлов А.Ф., Машин А.И., Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю.

Домашевская Э.П., Терехов В.А., Кашкаров В.М., Мануковский Э.Ю., Турищев С.Ю., Молодцов С.Л., Вялых Д.В., Хохлов А.Ф., Машин А.И., Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю. Синхротронные исследования особенностей электронно-энергетического спектра кремниевых наноструктур // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 2, Стр. 335

Аннотация С использованием синхротронного излучения впервые получены спектры ближней тонкой структуры рентгеновского поглощения в области Si L2,3-краев для наноматериалов в виде пористого кремния и наноструктур с эпитаксиальными слоями кремния, легированными эрбием или содержащими квантовые точки германия. Модель фотолюминесценции пористого кремния на базе полученных данных позволяет объяснить ее появление вследствие зона-зонных переходов между уровнями крсталлической фазы и оксидных фаз, покрывающих нанокристаллы кремния. Напряжения в поверхностных нанослоях кремния, вызванные Ge-квантовыми точками или кластерами с внедренными атомами эрбия, являются причиной появления тонкой структуры спектров вблизи края зоны проводимости и могут приводить к возникновению люминесценции в этих наноструктурах.