Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.&nbsp;Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * ОАО &#92;glqq НИИ Гириконд&#92;grqq, Санкт-Петербург, Россия ** Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, 198103 ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Гистерезисный гальвано-механический эффект при процессах заряда-разряда ионисторных структур

Компан М.Е., Кузнецов В.П., Розанов В.В., Якубович А.В.

Компан М.Е., Кузнецов В.П., Розанов В.В., Якубович А.В. Гистерезисный гальвано-механический эффект при процессах заряда-разряда ионисторных структур // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 6, Стр. 1078

Аннотация Обнаружен эффект изменения размеров ионисторной конденсаторной структуры при процессах накопления-рассасывания на ней электрического заряда. Особенностью данного эффекта, отличающего его от других известных эффектов изменения размеров под действием электрических и магнитных полей (пьезоэффекта и стрикций), является полный гистерезис, т. е. сохранение размера, достигнутого при воздействии, после снятия этого воздействия.