Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияИнститут радиотехники и электроники Российской академии наук, 125009 Москва, Россия E-mail:&nbsp;iip@mail.cplire.ru ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Электронная локализация впроводящих пленках Ленгмюра--Блоджетт

Галченков Л.А., Иванов С.Н., Пятайкин И.И.

Галченков Л.А., Иванов С.Н., Пятайкин И.И. Электронная локализация впроводящих пленках Ленгмюра--Блоджетт // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 6, Стр. 1098

Аннотация Изучена температурная зависимость внутрикристаллитной проводимости пленок Ленгмюра--Блоджетт комплекса с переносом заряда (КПЗ) (C16H33--TCNQ)0.4(C17H35--DMTTF)0.6, измеренная по затуханию поверхностных акустических волн в пьезоэлектрических линиях задержки, покрытых исследуемой пленкой ((C16H33--TCNO)0.4(C17H35--DMTTF)0.6 --- поверхностно-активный КПЗ на основе смеси 1.5:1 гептадецилдиметилтетратиафульвалена (C17H35--DMTTF) и гексадецилтетрацианохинодиметана (C16H33--TCNQ)). Обнаружено, что на температурной зависимости внутрикристаллитной проводимости при TMD=193.5 K имеется максимум, причем выше TMD проводимость пленок носит металлический характер (dsigma/d T