Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 Организация* Институт физики им. Л.В.&nbsp;Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, 660036 Красноярск, Россия ** Center for Biological and Environmental Nanotechnology, Rice University, Houston, Texas 77005-1892, USA ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Влияние дефектов углеродной сетки на электронную структуру полупроводниковых одностенных углеродных нанотрубок

Аврамов П.В., Якобсон Б.И., Scuseria G.E.

Аврамов П.В., Якобсон Б.И., Scuseria G.E. Влияние дефектов углеродной сетки на электронную структуру полупроводниковых одностенных углеродных нанотрубок // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 6, Стр. 1132

Аннотация В рамках зонного подхода с использованием гауссового типа орбиталей и приближения обобщенного градиента плотности рассчитана полная плотность электронных состояний идеальной и ряда возможных дефектных структур одностенной углеродной нанотрубки (14,0). Было показано, что введение дефектов в идеальную атомную структуру нанотрубки позволяет удовлетворительно описать существующие экспериментальные данные по электронной структуре нанотрубки. В рамках этого же подхода рассчитана полная плотность электронных состояний межмолекулярного контакта (5,5) и (10,0) одностенных углеродных нанотрубок, сформированного за счет образования 5-7 дефекта. Показано, что электронные состояния, относящиеся к области контакта и 5-7 дефекту, локализованы в области уровня Ферми. Работа поддержана Nanoscale Science and Engineering Initiative of the National Science Foundation, award number EEC-0118007 (Rice CBEN), и Welch Foundation.