Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.&nbsp;А.Ф.&nbsp;Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail: afanaseva@ms.ioffe.rssi.ru ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Кинетика окисления тонких пленок титана, выращенных наповерхности вольфрама

Агеев В.Н., Афанасьева Е.Ю., Потехина Н.Д.

Агеев В.Н., Афанасьева Е.Ю., Потехина Н.Д. Кинетика окисления тонких пленок титана, выращенных наповерхности вольфрама // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 8, Стр. 1498

Аннотация Методами термодесорбционной спектрометрии и оже-электронной спектроскопии исследован рост тонких пленок Ti на грани (100)W, а также кинетика их окисления. Механизм роста пленки Ti на грани (100)W при комнатной температуре близок к послойному. Энергия активации десорбции атомов Ti уменьшается от 5.2 eV при степени покрытия theta=0.1 до 4.9 eV в многослойной пленке. При окислении тонкой (theta=6) титановой пленки сначала наблюдается растворение в ее объеме атомов кислорода до предельной для данной температуры концентрации, затем пленка окисляется до TiO, при дальнейшей экспозиции в кислороде наблюдается рост окисла TiO2. При термодесорбции окислы испаряются с нулевым порядком кинетики десорбции и следующими энергиями активации десорбции: 5.1 eV (TiO) и 5.9 eV (TiO2). Работа выполнена в рамках Российской государственной программы \glqq Поверхностные атомные структуры\grqq (ГК N 1152) и при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 03-02-17523).