Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Институт химии высокочистых веществ Российской академии наук, 603600 Нижний Новгород, Россия E-mail: nick@sobolev.ioffe.rssi.ru ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"


Светоизлучающие структуры Si : Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: влияние условий эпитаксиального роста на концентрацию примесей и фотолюминесценцию
Соболев Н.А., Денисов Д.В., Емельянов А.М., Шек Е.И., Бер Б.Я., Коварский А.П., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Устинов В.М., Цырлин Г.Э., Котерева Т.В.
Соболев Н.А., Денисов Д.В., Емельянов А.М., Шек Е.И., Бер Б.Я., Коварский А.П., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Устинов В.М., Цырлин Г.Э., Котерева Т.В. Светоизлучающие структуры Si : Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: влияние условий эпитаксиального роста на концентрацию примесей и фотолюминесценцию // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 1, Стр. 108
Аннотация Исследована технология и свойства светоизлучающих структур на основе легированных эрбием в процессе молекулярно-лучевого эпитаксиального роста слоев кремния. В процессе эпитаксии на подложках, изготовленных из выращенного методом Чохральского кремния, происходит легирование растущего слоя примесями кислорода и углерода. Это позволяет упростить процесс легирования слоя Si : Er примесями-активаторами люминесценции, исключив встраивание в ростовую камеру специального капилляра для введения их из газовой фазы. В фотолюминесцентных спектрах всех исследуемых слоев при 78 K доминирует Er-содержащий центр с длиной волны в максимуме излучения 1.542 mum. Зависимости интенсивности этой линии в исследуемых интервалах температур подложки (400--700oC) и источника примеси эрбия (740-800oC) представляют собой кривые с максимумами. Наблюдавшиеся в спектрах ФЛ линии краевой люминесценции и P-линия главным образом возбуждаются в подложке. Измеренная методом обратного резерфордовского рассеяния протонов концентрация атомов эрбия в выращенных при температуре подложки 600oC эпитаксиальных слоях характеризуется экспоненциальной зависимостью от температуры источника эрбия с энергией активации ~ 2.2 eV. Работа частично поддержана INTAS (грант N 2001-0194), Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 02-02-16374 и 04-02-16935) и Отделением физических наук РАН в рамках Научной программы \glqq Новые материалы и структуры\grqq.
Ключевые слова публикации:
   

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален