Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.&nbsp;А.Ф.&nbsp;Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Институт микроэлектроники и автоматики Российской академии наук, 150007 Ярославль, Россия E-mail: nick@sobolev.ioffe.rssi.ru ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Светоизлучающие структуры Si : Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: влияние имплантации иотжига налюминесцентные свойства

Соболев Н.А., Денисов Д.В., Емельянов А.М., Шек Е.И., Паршин Е.О.

Соболев Н.А., Денисов Д.В., Емельянов А.М., Шек Е.И., Паршин Е.О. Светоизлучающие структуры Si : Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: влияние имплантации иотжига налюминесцентные свойства // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 1, Стр. 112

Аннотация Исследованы некоторые особенности, возникающие в спектрах фото- и электролюминесценции светоизлучающих структур на основе выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) слоев Si : Er. Для сравнения исследовались люминесцентные свойства слоев Si, имплантированных ионами Er и O. Температурное гашение интенсивности фотолюминесценции Er-содержащих центров в МЛЭ- и имплантационных слоях хорошо описывается одинаковыми функциональными зависимостями с равными значениями энергий активации, но с различающимися более чем на два порядка коэффициентами перед экспоненциальными членами. Показано, что интенсивность электролюминесценции ионов Er3+ может быть увеличена путем дополнительной имплантации ионов эрбия и кислорода в МЛЭ-светоизлучающие диодные структуры и последующего отжига. При этом Er-содержащие центры продолжают оставаться доминирующими в спектре люминесценции. Работа частично поддержана INTAS (грант N 2001-0194), Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 02-02-16374 и 04-02-16935) и Отделением физических наук РАН в рамках Научной программы \glqq Новые материалы и структуры\grqq.