Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияНаучно-исследовательский институт физики им.&nbsp;В.А.&nbsp;Фока Санкт-Петербургского государственного университета, 198504 Санкт-Петербург, Петродворец, Россия * Институт химии силикатов Российской академии наук, 199155 Санкт-Петербург, Россия E- ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Стабилизация высокотемпературной гексагональной модификации внанокристаллах галогенидов меди

Акопян И.Х., Гайсин В.А., Логинов Д.К., Новиков Б.В., Цаган-Манжиев А., Васильев М.И., Голубков В.В.

Акопян И.Х., Гайсин В.А., Логинов Д.К., Новиков Б.В., Цаган-Манжиев А., Васильев М.И., Голубков В.В. Стабилизация высокотемпературной гексагональной модификации внанокристаллах галогенидов меди // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 7, Стр. 1323

Аннотация Исследованы низкотемпературные (T=4.2-77 K) спектры поглощения нанокристаллов CuCl и CuBr в матрице фотохромных стекол. Обнаружена тонкая структура экситонных полос поглощения (Z3-полосы в CuCl и Z12-полосы в CuBr) и изучено ее поведение в зависимости от размеров нанокристаллов. Сделано предположение, что высокоэнергетическая компонента обусловлена стабилизацией высокотемпературной гексагональной beta-фазы в образцах малых размеров, и показано, что с увеличением размеров нанокристаллов происходит их переход в стабильную кубическую модификацию.