Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.&nbsp;А.Ф.&nbsp;Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail: vlad.krivol@mail.ioffe.ru, margaret.m@mail.ioffe.ru ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Роль встроенных электрических полей вформировании излучения квантовых ям InGaN/GaN

Криволапчук В.В., Лундин В.В., Мездрогина М.М.

Криволапчук В.В., Лундин В.В., Мездрогина М.М. Роль встроенных электрических полей вформировании излучения квантовых ям InGaN/GaN // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 7, Стр. 1338

Аннотация На основании анализа эволюции времяразрешенных спектров фотолюминесценции впервые удалось экспериментально наблюдать коррелированное влияние встроенных электрических полей и долгоживущих локализованных состояний на формирование излучения в квантовых ямах на основе нитридов III группы. Показано, что исследование времяразрешенных спектров фотолюминесценции позволяет классифицировать светодиодные структуры для их использования в коммерческих целях. Работа выполнена при поддержке программы Президиума РАН \glqq Низкоразмерные квантовые структуры\grqq.