Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияКиевский национальный университет им. Т.&nbsp;Шевченко, 03022 Киев, Украина E-mail:&nbsp;pacaj@univ.kiev.ua ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Рентгенодифракционное исследование влияния нейтронного облучения напроцессы дефектообразования вотожженных привысоких температурах кристаллах Cz-Si

Макара В.А., Новиков Н.Н., Пацай Б.Д.

Макара В.А., Новиков Н.Н., Пацай Б.Д. Рентгенодифракционное исследование влияния нейтронного облучения напроцессы дефектообразования вотожженных привысоких температурах кристаллах Cz-Si // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 10, Стр. 1791

Аннотация Методами трехкристальной дифрактометрии выполнено сравнительное исследование рассеяния рентгеновского излучения нейтронно-облученными и эталонными, выращенными по методу Чохральского кристаллами кремния после их отжига при температурах 850-1050oC. Рассчитаны соответствующие значения размеров и концентраций кластеров точечных дефектов и дислокационных петель, которые образуются в процессе распада твердого раствора кислорода и кластеризации радиационных дефектов.