Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.&nbsp;А.Ф.&nbsp;Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ), 197376 Санкт-Петербург, Россия E-mail: Sergei.Davydov@mail.i ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Политипизм карбида кремния ибарьеры Шоттки

Давыдов С.Ю., Посредник О.В.

Давыдов С.Ю., Посредник О.В. Политипизм карбида кремния ибарьеры Шоттки // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 2, Стр. 218

Аннотация Результаты предыдущей работы (ФТТ 46, 2135 (2004) ) пересмотрены с учетом зависимости электронного сродства от политипа SiC. Полученная из данных по барьерам Шоттки зависимость уровня вакансии в политипе от ширины его запрещенной зоны объяснена в рамках простой двухзонной модели. Работа выполнена при частичной поддержке грантов Российского фонда фундаментальных исследований (N 03-02-16 и 04-02016632а). PACS: 71.55.Ht, 73.30.+y