Профиль » Публикация
Опубликовано
2006-00-00
ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Институт физики твердого тела Дрезденского технического университета, 01309 Дрезден, Германия ** Научно-исследовательский институт физи
ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"
Применение синхротронного излучения дляисследования механизма увеличения выхода ионов щелочных металлов приэлектронно-стимулированной десорбции
Агеев В.Н., Потехина Н.Д., Пронин И.И., Соловьев С.М., Вялых Д.В., Молодцов С.Л. Применение синхротронного излучения дляисследования механизма увеличения выхода ионов щелочных металлов приэлектронно-стимулированной десорбции // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 4, Стр. 742
Аннотация
Фотоэлектронная спектроскопия остовных уровней с использованием синхротронного излучения (hnu=140 eV) применена для изучения изменения зарядового состояния ионов Si+ в пленках кремния, осажденных на поверхность грани W(100), после термического отжига подложки. Исследования проводились с целью проверки механизма резкого увеличения выхода ионов Na+ при электронно-стимулированной десорбции (ЭСД) из слоя натрия, адсорбированного на поверхноcти Si/W(100), после ее выскотемпературного отжига. Изучена эволюция спектров W4f7/2 и Si2p и спектров валентной зоны при двух степенях покрытия кремнием (1 и 3 ML) грани W(100) в температурном интервале 300
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален