Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияВоронежский государственный университет, 394006 Воронеж, Россия ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"


Релаксация доменной структуры примесных кристаллов триглицинсульфата под действием внутреннего поля
Никишина А.И., Дрождин С.Н., Голицына О.М.
Никишина А.И., Дрождин С.Н., Голицына О.М. Релаксация доменной структуры примесных кристаллов триглицинсульфата под действием внутреннего поля // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 6, Стр. 1073
Аннотация Исследована релаксация структуры сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата (ТГС), неравновесное состояние которой создавалось быстрым охлаждением через точку фазового перехода, полевым и термическим воздействием. Выявлена роль внутреннего поля в процессах релаксации доменной структуры к равновесному состоянию в дефектных кристаллах ТГС. Работа выполнена при поддержке фонда CRDF (грант VZ-010). PACS: 77.80.Dy, 77.84.Fa, 77.80.Bh

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален