Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияИнститут кристаллографии им.&nbsp;А.В.&nbsp;Шубникова Российской академии наук, 119333 Москва, Россия * Московский государственный университет им.&nbsp;М.В.&nbsp;Ломоносова, 119899 Москва, Россия E-mail: kira@ns.crys.ras.ru ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Диэлектрическая дисперсия вполимерных сегнетоэлектрических пленках Ленгмюра--Блоджетт

Лотонов А.М., Иевлев А.С., Гаврилова Н.Д., Верховская К.А., Юдин С.Г.

Лотонов А.М., Иевлев А.С., Гаврилова Н.Д., Верховская К.А., Юдин С.Г. Диэлектрическая дисперсия вполимерных сегнетоэлектрических пленках Ленгмюра--Блоджетт // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 6, Стр. 1101

Аннотация Измерения динамической диэлектрической проницаемости были выполнены для пленок сополимера поливинилиденфторида с трифторэтиленом --- П(ВДФ/ТрФЭ) --- состава 70/30 в широком частотном и температурном интервалах. Для сверхтонких пленок П(ВДФ/ТрФЭ) толщиной 15--45 nm, полученных по технологии Ленгмюра--Блоджетт (ЛБ), обнаружен дебаевский тип диэлектрической релаксации. Обнаружено увеличение времени релаксации tau с ростом температуры при приближении к сегнетоэлектрическому фазовому переходу, что интерпретируется как результат явления критического замедления. Изучено влияние gamma-излучения на диэлектрический отклик ЛБ пленок в 10 и 30 монослоев. Работа поддержана INTAS (грант N 03-51-3967) и РФФИ (грант N 05-02-16871). PACS: 77.22.-d, 77.22.Ch, 77.55.+f, 77.84.Jd