Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.&nbsp;Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Институт передовых технологий Самсунга, Суон 440-600, Корея E-mail:&nbsp;ladel@mail.ioffe.ru ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Метод определения заряда ловушек на интерфейсах тонкопленочной структуры металл/сегнетоэлектрик/металл

Делимова Л., Грехов И., Машовец Д., Шин С., Коо Ю.-М., Ким С.-П., Парк Я.

Делимова Л., Грехов И., Машовец Д., Шин С., Коо Ю.-М., Ким С.-П., Парк Я. Метод определения заряда ловушек на интерфейсах тонкопленочной структуры металл/сегнетоэлектрик/металл // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 6, Стр. 1111

Аннотация Разработан метод определения плотности ловушек на интерфейсах металл/сегнетоэлектрик полностью истощенной сегнетоэлектрической пленки с двумя барьерами Шоттки. Метод основан на перезарядке ловушек, индуцированной импульсом внешнего смещения. Определен диапазон смещений и параметров структуры металл/сегнетоэлектрик/металл, для которого возможно аналитическое решение уравнения Пуассона. С помощью этого метода из измерений переходного тока определена плотность заряда ловушек на верхнем и нижнем интерфейсах Pt(Ir)/PZT/Ir(Ti/SiO2/Si) конденсаторов. Величина интерфейсного заряда, оцененная из плотности ловушек, оказалась значительно меньше остаточной поляризации PZT пленки. Наблюдаемое соответствие между симметрией интерфейсных зарядов ловушек и симметрией гистерезисных петель и токов переключения указывает на объективность оценки плотности ловушек, определяемой с помощью развитого метода. Работа была поддержана Samsung Advanced Institute of Technology, программами Фундаментальных исследований Президиума РАН \glqq Незкоразмерные квантовые структуры\grqq, РАН \glqq Физика конденсированных сред\grqq и грантом РФФИ-НШ N 758.2003.2. PACS: 77.22.-d, 77.55.+f, 77.84.Dy, 73.20.At