Профиль » Публикация

Аннотация С помощью сканирующей туннельной микроскопии in situ исследованы начальные стадии роста Ge на вицинальных поверхностях Si(111), отклоненных в направлениях [112] и [112], в интервале температур 350-500oC. Показано, что на поверхностях, отклоненных в направлении [112], при низких потоках Ge в диапазоне 10-2-10-3 BL/min возможно формирование упорядоченных нанопроволок Ge в режиме ступенчато-слоевого роста. Высота нанопроволок Ge составляет одно и три межплоскостных расстояния и задается высотой исходной ступени кремния. Установлено, что в процессе эпитаксии ступени с фронтом по направлению [112] заменяются на ступени с фронтом по направлению [112], в результате чего край ступени принимает зубчатую форму. Поэтому на ступенчатых поверхностях Si(111), отклоненных в направлении [112], формирование ровных и однородных по ширине нанопроволок Ge затруднено. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 04-02-16138) и Федеральной программы Министерства образования и науки РФ. PACS: 61.30.Hn, 61.46.Hk, 68.37.Ef