Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияЗапорожский национальный технический университет, 69063 Запорожье, Украина E-mail: vpogosov@zntu.edu.ua ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Эффекты одноэлектронной зарядки втуннельной структуре наметаллическом кластере

Погосов В.В., Васютин Е.В., Курбацкий В.П., Коротун А.В.

Погосов В.В., Васютин Е.В., Курбацкий В.П., Коротун А.В. Эффекты одноэлектронной зарядки втуннельной структуре наметаллическом кластере // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 10, Стр. 1849

Аннотация Теоретически исследованы эффекты одноэлектронной туннельной зарядки и кулоновской блокады в кластерной структуре (молекулярном транзисторе) с учетом квантования электронных уровней в островковом электроде. Спектр электронов рассчитан для малых кластеров сферической и дискообразной формы. При условии сохранения полной энергии конструкции с учетом контактной разности потенциалов получены уравнения для анализа ее вольт-амперной характеристики. В теорию введены ограничения, связанные с кулоновской неустойчивостью кластера и релаксацией электронов. Для одноэлектронных транзисторов на малых кластерах золота рассчитаны величина щели тока и ее асимметрия по напряжению. С увеличением размера кластера токовая щель меняется немонотонно. Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки Украины и корпорации Samsung. PACS: 72.20.Fr, 73.22.Dj, 73.23.Hk