Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail: vlad.krivol@mail.ioffe.ru ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Влияние миграции энергии наформу линии излучения вструктурах сквантовыми ямами наоснове InGaN/GaN

Криволапчук В.В., Мездрогина М.М.

Криволапчук В.В., Мездрогина М.М. Влияние миграции энергии наформу линии излучения вструктурах сквантовыми ямами наоснове InGaN/GaN // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 11, Стр. 2067

Аннотация Структуры с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN с неоднородностями в латеральной плоскости использовались для изучения влияния механизма миграции электронных возбуждений и захвата носителей на формирование линии излучения квантовых ям. Исследованы стационарные и времяразрешенные спектры фотолюминесценции в широком спектральном диапазоне при варьировании температуры измерения (4.2, 77, 300 K). Исследована анизотропия (поляризация) излучения в структурах InGaN/GaN с различными неоднородностями. Показана важность процессов обмена возбуждением между неоднородностями для формирования линии излучения системы квантовых ям. Работа выполнена при поддержке программы Президиума РАН \glqq Низкоразмерные квантовые структуры\grqq. PACS: 78.67.De, 78.55.Cr.