Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 252650 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фотоэлектрические и фотомагнитные свойства бесщелевого CdxHg1-xTe в инфракрасной и миллиметровой области спектра излучения прираскрытии энергетической щели

Гасан-заде С.Г., Сальков Е.А., Шепельский Г.А.

Гасан-заде С.Г., Сальков Е.А., Шепельский Г.А. Фотоэлектрические и фотомагнитные свойства бесщелевого CdxHg1-xTe в инфракрасной и миллиметровой области спектра излучения прираскрытии энергетической щели // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 35

Аннотация В бесщелевом полупроводнике CdxHg1-xTe (x=0.04-0.16) получены магнитополевые и деформационные зависимости фотоэлектрических, фотомагнитных, а также фототермомагнитных характеристик при раскрытии энергетической щели. При возбуждении ИК излучением обнаруживается резкий рост фотосигнала с увеличением магнитного поля либо одноосной упругой деформации. В области квантового предела проявляются осцилляции большой амплитуды, связанные с участием в рекомбинации продольных оптических фононов. В миллиметровой области спектра проявляется гигантская осцилляция фотоотклика, связанная с изменением концентрации электронов. Последнее подтверждается полевой зависимостью фотоэффекта Холла. Показано, что фототермомагнитный эффект является дифференциальным сигналом по отношению к сигналу фотопроводимости.