Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический инстритут им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук; Cree Research EED Inc., 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Волноводные свойства гетероструктур на основе нитридов галлия, алюминия и индия

Бугров В.Е., Зубрилов А.С.

Бугров В.Е., Зубрилов А.С. Волноводные свойства гетероструктур на основе нитридов галлия, алюминия и индия // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 63

Аннотация Исследовались волноводные свойства двойных гетероструктур на основе нитридов элементов IIIгруппы A III N. Установлено, что в твердом растворе широкозонной области достаточным (для ограничения оптической моды внутри активной области) является содержание AlN не более 8/ 10%. Учтено влияние поглощения света в широкозонных слоях на плотность порогового тока гетероструктурных лазеров. Для гетероструктур на основе A III N этот вид поглощения света будет, по-видимому, определяющим. Для лазеров на основе таких структур плотность порогового тока ожидается на уровне порядка 10 кА/см2. Вследствие сильного поглощения света в волноводном слое для лазеров на одиночные квантовых ямах не следует ожидать снижения плотности порогового тока по сравнению с обычными лазерами на двойных гетероструктурах. Снижение плотности порогового тока до нескольких кА/см2 возможно для лазеров с большим числом квантовых ям.