Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияИнститут физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Квазибаллистическая модель токопереноса и формирование вольт-амперной характеристики S-типа в слабо легированной двухбарьерной гетероструктуре AlxGa1-xAs--GaAs--AlAs

Белянцев А.М., Романова Ю.Ю.

Белянцев А.М., Романова Ю.Ю. Квазибаллистическая модель токопереноса и формирование вольт-амперной характеристики S-типа в слабо легированной двухбарьерной гетероструктуре AlxGa1-xAs--GaAs--AlAs // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 100

Аннотация Рассмотрена квазибаллистическая модель токопереноса в двухбарьерной гетероструктуре AlxGa1-xAs--GaAs--AlAs со слабо легированной ямой. Учтено рассеяние электронов в слое GaAs в X-долину, незеркальность отражения электронов от барьера AlAs и квантование энергии в предбарьерной области. Показана возможность реализации S-образной вольт-амперной характеристики в слабо легированной двухбарьерной гетероструктуре в отсутствие электрон-электронных столкновений при относительно широком барьере AlAs.