Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия &#36;Institut for Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, D-10623 Berlin, Germany ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Термическая стабильность массивов вертикально совмещенных квантовых точек InAs--GaAs

Жуков А.Е., Егоров А.Ю., Ковш А.Р., Устинов В.М., Максимов М.В., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н., Гордеев Н.Ю., Зайцев С.В., Копьев П.С., Бимберг Д., Алферов Ж.И.

Жуков А.Е., Егоров А.Ю., Ковш А.Р., Устинов В.М., Максимов М.В., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н., Гордеев Н.Ю., Зайцев С.В., Копьев П.С., Бимберг Д., Алферов Ж.И. Термическая стабильность массивов вертикально совмещенных квантовых точек InAs--GaAs // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 104

Аннотация Исследуется влияние высокотемпературного отжига на оптические свойства массивов вертикально совмещенных квантовых точек InAs в матрице GaAs, а также на приборные характеристики инжекционного лазера с активной областью на основе массива квантовых точек. Наблюдается сильный коротковолновый сдвиг максимума фотолюминесценции и линии лазерной генерации, изменение интенсивности фотолюминесценции и температурной зависимости пороговой плотности тока. Причиной наблюдаемого поведения, по-видимому, является уменьшение энергии локализации носителей в квантовых точках в результате частичного перемешивания атомов In и Ga, а также повышение структурного упорядочения в слоях Ga(Al)As, выращенных при низкой температуре, в результате высокотемпературного отжига.