Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Катодолюминесценция p-n-p-микроструктур в кристаллах CuInSe2

Конников С.Г., Медведкин Г.А., Соболев М.М., Соловьев С.А.

Конников С.Г., Медведкин Г.А., Соболев М.М., Соловьев С.А. Катодолюминесценция p-n-p-микроструктур в кристаллах CuInSe2 // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 114

Аннотация Микроструктуры в монокристаллах p-CuInSe2, сформированные в сильном электрическом поле, исследованы методом локальной (d=< 1 мкм) катодолюминесценции. Наиболее коротковолновое излучение (homegam=1.023 эВ) наблюдается из слоя n-типа, более длинноволновое (homegam=1.006 эВ)--- из областей p-типа. Анализ спектров КЛ позволил сопоставить экспериментально выявленные особенности с оптическими переходами, связанными с донорными и акцепторными уровнями точечных дефектов V Cu, V Se, Cui. Тестовые измерения EBIC, C-V-характеристик и DLT-спектров подтверждают данные катодолюминесценции и выявляют дополнительные особенности p-n-p-микроструктур.