Профиль » Публикация

Аннотация Представлены частотные зависимости малосигнальной динамической проводимости симметричной и несимметричной двухбарьерных гетероструктур, рассчитанных в одноэлектронном приближении. Особое внимание уделено случаю туннелирования электронов через верхние минизоны. В приближении высокой мощности (ширины) барьеров получено аналититическое выражение для динамической проводимости двухбарьерной резонансно-туннельной структуры, согласующееся со строгим расчетом. Показано, что: а)динамическая проводимость возрастает как четвертая степень ширины барьеров, б)квантовые переходы с четным изменением номера уровня запрещены, в)динамическая проводимость обратно пропорциональна третьей степени частоты, если расстояние между уровнями меняется с частотой так, что все время выполняются условия резонанса. В зависимости от номеров рабочих уровней рассчитана максимально возможная интенсивность излучательных переходов двухбарьерных гетероструктур в условиях постоянства плотности тока питания и характерного времени нарушения когерентности, вызываемого фононным рассеянием. Показано, что интенсивность заметно возрастает, если в качестве рабочего использовать не основной, а, например, четвертый уровень структуры.