Профиль » Публикация

Аннотация С использованием нового метода концентрационных импульсов проведены исследования транспорта водорода в трех полупроводниковых материалах, нанесенных в виде пленок на никелевые подложки. Предложены наиболее вероятные модели переноса. В графите диффузия водорода происходит в виде молекул и сопровождается обратным захватом, перенос осуществляется по микропорам между чешуйками графита; центрами захвата служат валентно ненасыщенные связи на границах чешуек. Диффузия в аморфном кремнии также сопровождается захватом, но происходит в атомарной форме по междоузлиям; центрами захвата служат валентно ненасыщенные Si-связи. В оксиде никеля, подобно графиту, диффузионный перенос идет в виде молекул, однако захвата водорода на валентно ненасыщенные связи обнаружено не было. Проведен сравнительный анализ свойств, проявляемых исследованными материалами по отношению к кислороду, для установления их корреляции со структурой и электронными свойствами полупроводников.