Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 94021 Санкт-Петербург, Россия *Физико-технический институт Академии наук Туркмении, 744000 Ашхабад, Туркмения ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Туннельно-избыточный ток в невырожденных барьерных p-n- иm-s-структурах A IIIB V на Si

Евстропов В.В., Жиляев Ю.В., Джумаева М., Назаров Н.

Евстропов В.В., Жиляев Ю.В., Джумаева М., Назаров Н. Туннельно-избыточный ток в невырожденных барьерных p-n- иm-s-структурах A IIIB V на Si // ФТП, 1997, том 31, выпуск 2, Стр. 152

Аннотация Обобщены результаты исследования прямого тока в трех типах барьерных структур: гомо-p-n-структурах p-n-GaP/n-Si, p-n-GaAs--n-GaP/n-Si, p-n-GaAs--n-GaAs/n-Si; гетероструктурах n-GaP/p-Si, p-GaP/n-Si, n-GaAsP/p-Si, n-GaAs/p-Si и поверхностно-барьерных структурах Au--n-GaP/n-Si. Эпитаксиальные слои GaP и GaAs на Si-подложках создавались методом газофазной эпитаксии в хлоридной системе. Температурные измерения показали, что прямой ток имеет туннельную природу, хотя ширина области объемного заряда значительно больше длины туннелирования. Предложена модель неоднородного туннелирования вдоль дислокаций, пересекающих область объемного заряда. Учет туннелирования такого типа осуществляется путем введения феноменологического коэффициента "разрежения" барьера. Модель позволяет по вольт-амперной характеристике вычислить плотность дислокаций в приборных структурах.