Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияМосковский государственный университет им. М.В.Ломоносова, 119899 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние времени освещения на отжиг созданных светом метастабильных дефектов в a-Si : H p-типа

Казанский А.Г.

Казанский А.Г. Влияние времени освещения на отжиг созданных светом метастабильных дефектов в a-Si : H p-типа // ФТП, 1997, том 31, выпуск 3, Стр. 347

Аннотация В области температур 360--400 K исследовано влияние времени освещения на релаксацию концентрации созданных светом метастабильных дефектов в легированных бором пленках a-Si : H. Релаксация концентрации происходила по растянутой экспоненте (~exp(-(t/taur)beta)). В области исследованных температур и времен освещения (0.1--7.0 с) коэффициент beta=0.55-0.65, а энергия активации Ea температурной зависимости эффективного времени taur составляла 0.97--1.07 эВ. С ростом освещения наблюдалось слабое увеличение Ea и beta. Величина taur возрастала при увеличении времени освещения в соответствии с зависимостью, близкой к логарифмической. Проведено сопоставление полученных экспериментальных результатов с существующими микроскопическими моделями образования и отжига метастабильных дефектов в пленках a-Si : H.