Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияИнститут физики микроструктур Российской академии наук, 603600 Нижний Новгород, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние X-долины на туннелирование и время жизни электронов вгетероструктурах GaAs/AlAs

Демидов Е.В.

Демидов Е.В. Влияние X-долины на туннелирование и время жизни электронов вгетероструктурах GaAs/AlAs // ФТП, 1997, том 31, выпуск 3, Стр. 355

Аннотация В приближении эффективной массы вычислены вероятность туннелирования электрона через треугольный барьер и время жизни его в квантовой яме рядом с гетеробарьером GaAs/AlAs, образованной сильным электрическим полем. Показано, что для таких структур вероятность туннелирования в X-долину может на несколько порядков превышать вероятность туннелирования в Gamma-долину. Время жизни электрона в квазистационарном состоянии перед гетеробарьером также в основном определяется туннелированием в X-долину и составляет ~10-13-10-11 c в полях E~105-106 В/см.