Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизикотехнический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Оже-рекомбинация в напряженных квантовых ямах

Андреев А.Д., Зегря Г.Г.

Андреев А.Д., Зегря Г.Г. Оже-рекомбинация в напряженных квантовых ямах // ФТП, 1997, том 31, выпуск 3, Стр. 358

Аннотация Теоретически исследован беспороговый механизм оже-рекомбинации неравновесных носителей в квантовых ямах с напряженными слоями. Показано, что анализ зависимости скорости оже-рекомбинации от величины напряжения, высот гетеробарьеров для электронов и дырок, возможен только при микроскопическом расчете интегралов перекрытия между начальными и конечными состояниями частиц. В квантовых ямах с напряженными слоями наличие деформации качественно и количественно влияет на интеграл перекрытия электрон-дырка. Выполнен анализ зависимости скорости оже-рекомбинации от параметров квантовой ямы, величины напряжения и температуры для гетероструктур на основе InGaAsP/InP и InGaAlAs/InP.