Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Природа отрицательного дифференциального сопротивления неидеального барьера Шоттки на основе арсенида индия

Каламейцев А.В., Романов Д.А., Ковчавцев А.П., Курышев Г.Л., Постников К.О., Субботин И.М.

Каламейцев А.В., Романов Д.А., Ковчавцев А.П., Курышев Г.Л., Постников К.О., Субботин И.М. Природа отрицательного дифференциального сопротивления неидеального барьера Шоттки на основе арсенида индия // ФТП, 1997, том 31, выпуск 3, Стр. 370

Аннотация Теоретически и экспериментально исследованы процессы упругого туннелирования в МДП структурах с барьером Шоттки на основе p+-InAs. При гелиевых температурах получены вольт-амперные характеристики с участком отрицательного дифференциального сопротивления. На основе квазиклассического приближения получены аналитические выражения для коэффициента туннельного прохождения с конверсией носителей. Показано, что падающий участок ВАХ связан с участием в процессе туннелирования вышележащего уровня размерного квантования в n-канале. Полученные расчетные вольт-амперные характеристики хорошо согласуются с результатами эксперимента.