Профиль » Публикация

Аннотация Показано, что неравновесные носители заряда, возникающие при локальном оптическом воздействии на гетероструктуру с двумерным электронным газом, переносится в плоскости структуры на чрезвычайно большое расстояние от места возбуждения, которое значительно превосходит длину диффузии в объеме. Эффект обусловлен тем, что генерированные светом электроны и дырки разделяются встроенным электрическим полем гетероперехода к противоположным краям буферного слоя, где они переносятся по параллельным плоскостям. Расстояние, на которое распространяется неравновесная концентрация носителей, достигает больших значений благодаря: (1)высокой проводимости двумерных электронов, (2)барьера для рекомбинации электронов и дырок и (3)дрейфу дырок в электрическом поле, создаваемом зарядом неравновесных носителей в плоскости структуры.