Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияБелорусский государственный университет, 220064 Минск, Белоруссия *Белорусский государственный медицинский институт, 220116 Минск, Белоруссия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Особенности накопления радиационных дефектов вакансионного имежузельного типов в бездислокационном кремнии с различным содержанием кислорода

Колковский И.И., Лукьяница В.В.

Колковский И.И., Лукьяница В.В. Особенности накопления радиационных дефектов вакансионного имежузельного типов в бездислокационном кремнии с различным содержанием кислорода // ФТП, 1997, том 31, выпуск 4, Стр. 405

Аннотация Исследовались процессы образования основных радиационных дефектов в кремнии (A-, E-центры, комплексы Ci-Cs и Ci-Oi) в бездислокационных кристаллах и кристаллах с низким содержанием дислокаций (ND~=1· 104 см-2) в зависимости от концентрации кислорода NO. Особенности накопления и отжига радиационных дефектов, наблюдаемые в бездислокационном кремнии, интерпретированы с учетом наличия межузельных включений в объеме таких кристаллов. Установлено, что геттерирующие свойства включений сложным образом зависят от концентрации кислорода и максимально выражены при NO~= 3· 1016 см-3.