Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Институт теоретической физики, Технический университет г. Берлина D-10623, Берлин, Германия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

О поперечной устойчивости фронта ударной ионизации в Si p+-n-n+-структуре

Минарский А.М., Родин П.Б.

Минарский А.М., Родин П.Б. О поперечной устойчивости фронта ударной ионизации в Si p+-n-n+-структуре // ФТП, 1997, том 31, выпуск 4, Стр. 432

Аннотация Рассматривается поперечная устойчивость фронта ударной ионизации в кремниевой p+-n-n+-структуре большой площади. Предложена аналитическая модель, обеспечивающая совместное движение фронта ионизации и процесса вытеснения основных носителей из необедненной части n-базы. Исследована устойчивость плоского фронта, вычислены инкременты нарастания и указаны физические механизмы неустойчивости. Сформулирован критерий квазиустойчивого распространения волны.