Профиль » Публикация
Опубликовано
1997-00-00
ОрганизацияФизико-технический инстититут им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Проявление эффекта локализации электронов в осцилляциях поглощения звука в режиме квантового эффекта Холла
Дричко И.Л., Дьяконов А.М., Крещук А.М., Полянская Т.А., Савельев И.Г., Смирнов И.Ю., Суслов А.В. Проявление эффекта локализации электронов в осцилляциях поглощения звука в режиме квантового эффекта Холла // ФТП, 1997, том 31, выпуск 4, Стр. 451
Аннотация
Экспериментально исследован коэффициент поглощения поверхностных акустических волн в пьезодиэлектрике, контактирующем при малом зазоре с гетероструктурой GaAs/Al0.25Ga0.75As (с подвижностью двумерных электронов mu=1.3· 105 см2/(В·с) при T=4.2K ) в зависимости от частоты волны, величины вакуумного зазора, магнитного поля и температуры. Вычислены и проанализированы зависимости высокочастотной проводимости (в области 30/210МГц) от магнитного поля и частоты. Экспериментальные результаты можно объяснить, если предположить существование флуктуационного потенциала, в котором происходит локализация носителей тока. Обсуждается характер поглощения поверхностных акустических волн при взаимодействии с локализованными в энергетических "хвостах" уровней Ландау двумерными электронами.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален