Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический инстититут им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Проявление эффекта локализации электронов в осцилляциях поглощения звука в режиме квантового эффекта Холла
Дричко И.Л., Дьяконов А.М., Крещук А.М., Полянская Т.А., Савельев И.Г., Смирнов И.Ю., Суслов А.В.
Дричко И.Л., Дьяконов А.М., Крещук А.М., Полянская Т.А., Савельев И.Г., Смирнов И.Ю., Суслов А.В. Проявление эффекта локализации электронов в осцилляциях поглощения звука в режиме квантового эффекта Холла // ФТП, 1997, том 31, выпуск 4, Стр. 451
Аннотация Экспериментально исследован коэффициент поглощения поверхностных акустических волн в пьезодиэлектрике, контактирующем при малом зазоре с гетероструктурой GaAs/Al0.25Ga0.75As (с подвижностью двумерных электронов mu=1.3· 105 см2/(В·с) при T=4.2K ) в зависимости от частоты волны, величины вакуумного зазора, магнитного поля и температуры. Вычислены и проанализированы зависимости высокочастотной проводимости (в области 30/210МГц) от магнитного поля и частоты. Экспериментальные результаты можно объяснить, если предположить существование флуктуационного потенциала, в котором происходит локализация носителей тока. Обсуждается характер поглощения поверхностных акустических волн при взаимодействии с локализованными в энергетических "хвостах" уровней Ландау двумерными электронами.
Ключевые слова публикации:
     

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален