Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Релаксация спина и слабая локализация двумерных электронов внесимметричных квантовых ямах

Крещук А.М., Новиков С.В., Полянская Т.А., Савельев И.Г.

Крещук А.М., Новиков С.В., Полянская Т.А., Савельев И.Г. Релаксация спина и слабая локализация двумерных электронов внесимметричных квантовых ямах // ФТП, 1997, том 31, выпуск 4, Стр. 459

Аннотация Экспериментально исследован эффект аномального знакопеременного магнитосопротивления в двумерном электронном газе на гетерогранице In0.53Ga0.47As/InP при гелиевых температурах в широком диапазоне концентрации электронов, включая случай заполнения двух подзон размерного квантования. Анализ полученных данных проведен в рамках теории, учитывающей как кубический, так и линейные по волновому вектору члены в спиновом расщеплении электронного спектра. Линейный член связан с несимметричностью квантовой ямы, т. е. наличием электрического поля на гетерогранице. Показано, что новая теоретическая модель лучше описывает эксперимент.