Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияНаучно-исследовательский технологический институт, 390011 Рязань, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Эффект Холла на инерционных электронах в полупроводниках

Кадушкин В.И.

Кадушкин В.И. Эффект Холла на инерционных электронах в полупроводниках // ФТП, 1997, том 31, выпуск 4, Стр. 468

Аннотация Предсказан новый физический эффект, обусловленный действием силы Лоренца на электроны полупроводника, движущегося ускоренно. Получено выражение для поля Холла и выполнены оценки холловского напряжения для реальной двумерной гетероструктуры. Выполнен анализ возможной схемы усиления холловского поля на примере двух холловских элементов, один из которых--- генератор напряжения, а второй--- нагрузка.