Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияИнститут физики твердого тела и полупроводников академии наук Белоруссии, 220072 Минск, Белоруссия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование примесного состава полупроводниковых структур наоснове арсенида галлия с использованием нейтронно-активационного анализа

Дутов А.Г., Комар В.А., Ширяев С.В., Смахтин Л.А.

Дутов А.Г., Комар В.А., Ширяев С.В., Смахтин Л.А. Исследование примесного состава полупроводниковых структур наоснове арсенида галлия с использованием нейтронно-активационного анализа // ФТП, 1997, том 31, выпуск 4, Стр. 488

Аннотация С использованием высокочувствительного метода нейтронно-активационного анализа проведено исследование примесного состава в пластинах арсенида галлия. Определен уровень содержания в них Se, Cr, Ag, Fe, Zn, Co и Sb, а также вариации содержания этих примесей для различных партий пластин. Показаны возможности использования нейтронно-активационного анализа в сочетании с послойным химическим травлением для изучения объемного распределения примесных элементов в полупроводниковых структурах на основе арсенида галлия.