Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 Организация*Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, 634045 Томск, Россия Сибирский физико-технический институт им. В.Д.Кузнецова при Томском государственном университете, 634050 Томск, Россия &#36;Институт неорганической химии Российской ак ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние лазерного излучения на плотность электронных состояний границы раздела диэлектрик--арсенид галлия

Возмилова Л.Н., Гаман В.И., Калыгина В.М., Панин А.В., Смирнова Т.П.

Возмилова Л.Н., Гаман В.И., Калыгина В.М., Панин А.В., Смирнова Т.П. Влияние лазерного излучения на плотность электронных состояний границы раздела диэлектрик--арсенид галлия // ФТП, 1997, том 31, выпуск 4, Стр. 492

Аннотация Исследовано влияние отжига импульсным лазерным излучением с длинами волн0.69 и308 мкм на вольт-фарадные, вольт-сименсные характеристики и плотность поверхностных состояний границы раздела диэлектрик--(n,p)-GaAs в зависимости от плотности энергии излучения.