Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 252650 Киев, Украина *Институт физики Национальной академии наук Украины, 252028 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Радиационное охлаждение в условиях магнитоконцентрационного эффекта

Липтуга А.И., Малютенко В.К., Пипа В.И., Леваш Л.В.

Липтуга А.И., Малютенко В.К., Пипа В.И., Леваш Л.В. Радиационное охлаждение в условиях магнитоконцентрационного эффекта // ФТП, 1997, том 31, выпуск 4, Стр. 498

Аннотация Представлены результаты теоретического и экспериментального исследования временных зависимостей эффекта радиационного охлаждения, вызываемого импульсным полупроводниковым источником отрицательной межзонной люминесценции. Изучена кинетика охлаждения и последующая температурная релаксация пассивного элемента, зависящие от мощности и длительности импульса люминесценции. Показано, что использованный метод возбуждения люминесценции (магнитоконцентрационный эффект) дает возможность как радиационного охлаждения, так и нагревания пассивного элемента, что перспективно для практического применения. Результаты теоретического исследования качественно согласуются с экспериментальными данными. Максимальное охлаждение, достигнутое в эксперименте при комнатной температуре, равно 0.62 K.