Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 252650 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние ультразвуковой обработки на деформационные эффекты иструктуру локальных центров в подложке и приконтактных областях структур M/n-n+-GaAs (M= Pt, Cr, W)

Ермолович И.Б., Миленин В.В., Конакова Р.В., Применко Л.Н., Прокопенко И.В., Громашевский В.Л.

Ермолович И.Б., Миленин В.В., Конакова Р.В., Применко Л.Н., Прокопенко И.В., Громашевский В.Л. Влияние ультразвуковой обработки на деформационные эффекты иструктуру локальных центров в подложке и приконтактных областях структур M/n-n+-GaAs (M= Pt, Cr, W) // ФТП, 1997, том 31, выпуск 4, Стр. 503

Аннотация Изучено влияние ультразвуковой обработки на физико-химические, структурные и электрофизические свойства структур Pt, Cr, W/n-n+-GaAs. Показано, что ультразвуковая обработка приводит к пространственной и химической упорядоченности приконтактной области GaAs, что обусловливает уменьшение обратных токов диодных структур с барьером Шоттки. Обсуждается возможный механизм воздействия ультразвуковой обработки на структурную и химическую перестройку в контакте M/n-n+-GaAs.