Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 252028 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние облучения быстрыми нейтронами на фотолюминесценцию кристаллов n-GaAs(Te)

Глинчук К.Д., Прохорович А.В.

Глинчук К.Д., Прохорович А.В. Влияние облучения быстрыми нейтронами на фотолюминесценцию кристаллов n-GaAs(Te) // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 533

Аннотация Исследовано влияние нейтронного облучения (Phi=1014-1015 см-2) и последующих отжигов (T=100-750oC) на фотолюминесценцию сильно легированных теллуром кристаллов n-GaAs (n0~=2·1018 см-3). Показано, что указанное радиационно-термическое воздействие при возрастании температуры отжига приводит сначала (при T~= 300oC) к появлению интенсивной полосы люминесценции с максимумом излучения вблизи 1.35 эВ, а затем (при T>550oC) к снижению ее интенсивности. Отмеченное связано с радиационно-стимулированной генерацией пар VGaTeAsVAs при умеренных температурах прогрева и последующей их диссоциацией при повышенных температурах прогрева.