Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияМосковский государственный университет им. М.В.Ломоносова, 119899 Москва, Россия *Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

О релаксационных характеристиках и стабильности пленок a-Si : H, выращенных при высоких температурах

Курова И.А., Ормонт Н.Н., Голикова О.А., Кудоярова В.Х.

Курова И.А., Ормонт Н.Н., Голикова О.А., Кудоярова В.Х. О релаксационных характеристиках и стабильности пленок a-Si : H, выращенных при высоких температурах // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 536

Аннотация Исследованы некоторые характеристики тепловой и световой стабильности в пленках a-Si : H, осажденных в триодном реакторе при температурах 300/ 390oC, с различной концентрацией водорода C H. Найдено, что температура установления равновесия TE увеличивается с уменьшением C H. При длительном освещении фотопроводимость уменьшается во времениt по закону t-1/3 в пленках с большим значением C H. В пленках с малым содержанием водорода фотопроводимость падает медленнее.