Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Institut fur Festkorperphysik, Technishe Universitat Berlin, D-10623 Berlin, Germany ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование свойств низкопороговых гетеролазеров с массивами квантовых точек

Зайцев С.В., Гордеев Н.Ю., Устинов В.М., Жуков А.Е., Егоров А.Ю., Максимов М.В., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н., Копьев П.С., Бимберг Д., Алферов Ж.И.

Зайцев С.В., Гордеев Н.Ю., Устинов В.М., Жуков А.Е., Егоров А.Ю., Максимов М.В., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н., Копьев П.С., Бимберг Д., Алферов Ж.И. Исследование свойств низкопороговых гетеролазеров с массивами квантовых точек // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 539

Аннотация Свойства инжекционных гетеролазеров GaAs--AlGaAs с квантовыми точками (КТ) (In,Ga) As кардинально зависят от числа плоскостей с КТ (N), внедренных в активную область. Генерация через основное состояние экситона в квантовой точке при комнатной температуре реализовано в структурах с N>3. Для N=1 при 300 K генерация осуществляется через возбужденное состояние экситона в КТ или через состояния смачивающего слоя. Увеличение числа плоскостей с квантовыми точками приводит к снижению пороговой плотности тока и увеличению дифференциальной квантовой эффективности. При этом, наименьшая пороговая плотность тока 97 А/см2 (lambda=1.05 мкм, 300 K) достигнута в структурах с максимальным N (N=10).