Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Электронный транспорт в условиях ванье--штарковской локализации вполитипах карбида кремния

Санкин В.И., Столичнов И.А.

Санкин В.И., Столичнов И.А. Электронный транспорт в условиях ванье--штарковской локализации вполитипах карбида кремния // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 577

Аннотация Проведено подробное исследование электронного транспорта в сильных электрических полях в естественной сверхрешетке политипов карбида кремния 6H и 4H. Поведение электронов свидетельствовало о возникновении и развитии процесса ванье--штарковского квантования в широком диапазоне электрических полей 100--2000 кВ/см. Прямые измерения зависимости электронного тока от величины среднего электрического поля позволили обнаружить ряд областей с отрицательной дифференциальной проводимостью. Анализ полученных данных позволяет заключить, что наблюдаемые эффекты обусловлены различными механизмами, которые вступают в действие по мере увеличения электрического поля: 1)брэгговское отражение электронов от границы первой минизоны, 2)прыжковая проводимость между уровнями ванье--штарковской лестницы, индуцированная резонансным электрофононным взаимодействием, 3)резонансное межмининзонное туннелирование из первой минизоны во вторую.